美商电子科学工业公司(Electro Scientific Industries，ESI)最近针对大容量DRAM与NAND闪存开发出一种双光束红外线激光修复系统Model 9850，据称其双光束平行处理能力可提供高速处理多重金属联机能力，从而将总处理量较现有修复系统提高90%。
这款红外线激光修复系统主要针对采用90纳米的大容量DRAM与NAND闪存，如1Gb的DRAM或是2个4Gb NAND等应用。ESI半导体事业群产品经理Paul Kirby指出，“当内存容量提升，损失一个裸晶的成本就变得非常高昂，因此像Model 9850这类雷射修复系统的重要性预期将日益提高。”
双光束技术能在处理期间内自动针对每个产品选择最佳化的产出结果。Kirby表示，其双光束技术的最大雷射能量可达每光束0.9uJ，平均修复率在1.3um波长时为70kHz
、1um波长时为100kHz；激光脉冲宽度在1.3um时为12ns±2或16.5ns±2、在1um时则为13ns±2.5。另外，由于双光束技术主要运用来自单一雷射源的双光束架构，因此仍能维持与前一代983X单激光束系统相同的精确度与稳定性。
Kirby透露，根据四家内存制造商采用双光束系统针对4Gb NAND、256Mb DRAM、1Gb DRAM与512Mb DRAM的测试结果显示，与采用其前一代Model 9830相较，生产率分别获得了24%、95%、89%与42%的提升。
“多光束传递激光修复系统可处理新一代高容量DRAM及NAND闪存的微小金属联机，进行整片晶圆加工只需现有时间的一半，对高产量的自动化300mm厂来说，这是提升生产率的重要环节，”Kirby说。他同时表示，ESI目前已取得数项关于双光束激光控制的专利，而且正持续就这种独特的激光构造进行开发，以符合对新一代内存组件日益增加的需求。
图：双光束激光修复系统架构,主要针对大容量内存应用
Model 9850主要瞄准90纳米制程的大容量内存，其激光点尺寸约为2um。不过，Kirby透露，针对更微小的次纳米制程，如65或45纳米，该公司也同时发布了采用紫外光激光的UV系列修复系统，目前已将激光点尺寸微缩到最小0.8um，预期能满足到45纳米制程的需求。
