看好LED产业之广大市场以及全球LED产业景气之持续成长，中国台湾地区工研院(ITRI)日前与半导体制程设备业者聚昌科技(AST)签约，合作开发直立式氢化物气相磊晶机台(Vertical Hydride Vapour Phase Epitaxy，VHVPE)，并由工研院进行机台之验证与改善。
此合作计划将结合工研院研发团队的技术研发能力，以及聚昌在先进制程设备的长期投入经验，以协助台湾的光电半导体产业建立自主的上游磊晶设备制造和研发改善能力，摆脱我国LED厂商长期受国外设备制造商牵制之苦，并同时为我国之LED及雷射二极管厂商提供高质量且大尺寸的氮化镓单晶基板。
工研院表示，LED技术发展由来已久，近年来除了欧、美、日等大厂外，包括台湾及大陆之厂商也积极投入LED先进技术之研发
。LED的无污染、低耗能、长寿命等特性，也代表着蕴藏其后的庞大市场商机。在LED产业持续蓬勃发展下，预计今年全球LED市场将可成长至逾60亿美元。
据经济部工业局预估，台湾LED的产值每年均有一成左右的成长率，预计今年将可达到640亿台币之目标，因此加速建立台湾自主性关键机台与技术更显重要。工研院指出，尽管国外厂商已有类似VHVPE的机台，但目前仍未商业化，因此高单价的氮化镓基板仍是国内厂商之痛，也加深了工研院与聚昌共同研发VHVPE机台，并生产高质量氮化镓基板的决心。
工研院副院长暨电光所所长徐爵民表示，藉由建立可长时间操作的VHVPE机台，不但可让台湾业者摆脱国外设备大厂在机台维修及零件上的箝制，同时所生产出较厚之氮化镓基板，也可解决因晶格和热膨胀系数不匹配所造成的高缺陷密度问题。
相较于水平式HVPE机台，进阶版的直立式HVPE机台藉由差异化的反应炉(Reactor)，可生产较佳的磊晶质量，此外可长时间操作的特性，也使得氮化镓基板的成长厚度大于1公分，对于氮化镓基板的缺陷密度降低有很大的帮助。 聚昌的研发团队在该公司总经理吴金龙带领下，长期致力先进制程及设备研发；该公司对于此次与工研院共同合作开发高质量氮化镓基板技术深具信心，并表示藉助工研院电光所在光电半导体及系统应用的研发实力，不但计划研发VHVPE机台，并渴望于两年内由工研院完成机台之验证与改善，开发高质量氮化镓基板制造技术，以提升上游氮化镓单晶基板的掌控能力。
